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近年來，柔性表面增強拉曼(SERS)基底受到極大關(guān)注，尤其面對表面污染殘留物的檢測，可直接擦拭檢測，且無損或極小損傷。目前常用的有紙基、玻璃纖維、棉織布等，制備方法主要是將貴金屬納米粒子組裝在柔性基質(zhì)表面。然而由于貴金屬粒子裸露在表面，缺乏必要的保護，擦拭檢測后貴金屬粒子易受到損害，僅一次性使用，難于重復使用，難于滿足一些特殊的、惡劣環(huán)境（如抗超聲破壞、強酸堿介質(zhì)、高溫低溫環(huán)境）的應(yīng)用需求。
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眾所周知，阻礙光伏器件性能提升的一個重要因素是低于光伏材料帶隙的低能紅外光子無法被充分利用。對于硅而言，大于1100 nm的太陽光不能被吸收，而這部分占據(jù)太陽光光譜能量的20%；對于帶隙更大的鈣鈦礦而言，不能被利用的太陽光顯著增多。因此，若能夠充分吸收這些低能紅外光子并實現(xiàn)高效轉(zhuǎn)換，將可在現(xiàn)有基礎(chǔ)上顯著提升對太陽能的利用率。為此，窄帶隙紅外光伏材料被視為實現(xiàn)低能紅外光子利用的關(guān)鍵所在。
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與單晶或多晶Ga2O3相比，非晶Ga2O3材料具有明顯的成本優(yōu)勢。本研究開發(fā)出了一種具有超高性能和柵極可調(diào)光檢測能力的非晶Ga2O3日盲場效應(yīng)光電晶體管，并對其光電性能進行了全面調(diào)研。射頻磁控濺射用于在經(jīng)濟的Si/SiO2襯底上沉積非晶GaOx薄膜。通過施加適當?shù)谋硸烹妷海╒G），可以很好地控制場效應(yīng)光電晶體管的光電性能和暗電流。制成的日盲型GaOx薄膜場效應(yīng)光電晶體管具有出色的深紫外光光電探測特性，包括4.1×103 AW-1的超高光敏性，2.5×1013?Jones的高探測率，以及極高的外量子效率。在70 μW cm-2的254 nm的弱光照下，外量子效率為2×106％，光電導增益為1.6×107。還揭示了光檢測特性取決于偏置電壓和光強度。另外，成功地展示了GaOx光電晶體管作為感測像素的日盲成像功能。獲得了目標的清晰圖像，這是有關(guān)非晶GaOx?探測器日盲成像的第一次報道。這些結(jié)果，加上其易于制造和低成本，使得該日盲非晶GaOx薄膜場效應(yīng)光電晶體管有望用于下一代光電成像應(yīng)用。
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由于可以廣泛用于光學成像，空間光通信，導彈制導和定位導航等領(lǐng)域，作為現(xiàn)代光電設(shè)備中關(guān)鍵組件的光電探測器（PD）近年來已引起越來越多的研究興趣。目前，商用光電探測器主要基于Si光電二極管，是因為它的低成本和與高度成熟的硅工藝帶來的高度兼容性。在280 nm以下的波長下工作的深紫外光電探測器（深紫外光PD）尚未十分成熟，它們是近年來在火焰探測，導彈預警系統(tǒng)，機密空間通信，深紫外線成像機方面具有潛在應(yīng)用的研究熱點。能隙為4.7-4.9 eV的Ga2O3材料，由于其高輻射耐受性，高熱穩(wěn)定性和化學穩(wěn)定性以及在深紫外區(qū)域的強吸收性，是未來有發(fā)展前景的深紫外光PD的候選項。
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日盲光電探測器對波長在220-280 nm范圍內(nèi)的光敏感，在軍事和商業(yè)領(lǐng)域都有著廣泛的應(yīng)用，例如光學追蹤、光通信和成像。得益于優(yōu)越的材料和電學特性，包括良好的熱學和化學穩(wěn)定性、優(yōu)異的抗輻照性能以及直接對應(yīng)日盲區(qū)域的光探測波長，寬禁帶半導體材料具備更顯著的優(yōu)勢。在過去的幾年里，由于Ga2O3相關(guān)材料的優(yōu)異的抗輻照特性、良好的熱穩(wěn)定性以及4.7-5.3 eV直接對應(yīng)于日盲波段的超寬禁帶寬度，已經(jīng)引起了廣泛的關(guān)注。目前，幾乎所有關(guān)于Ga2O3 PDs的研究都是基于a-或β-Ga2O3材料，然而，探測器的光電性能不盡如人意，并且增益機制尚未分析確定。因此，ε-Ga2O3的材料和光電特性有待進一步研究。
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